SI2302CDS-T1-GE3

%5
19,67 TL (Kdv Dahil)
20,71 TL
%3,00
Havale İndirimli Fiyatı : 19,08 TL
3,73 TL den başlayan taksitlerle!!
Stok Kodu
:
BJLQX269
Kategori
:
*
*
*
*
SI2302CDS-T1-GE3 - (M2RVG)   SOT-23   2.9A 20V   N-CHANNEL MOSFET - ONLİNE ÖZEL FİYAT

SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET

Type Designator: SI2302CDS-T1-GE3

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 1.25 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 20 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 12 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V

Maximum Drain Current |Id|: 5 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 12 nC

Rise Time (tr): 17 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 105 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.028(typ) Ohm

Package: SOT23     
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 ürününü en uygun fiyat ve taksit seçenekleriyle Elektrodepo.com'dan hızlı kargo avantajıyla satın alabilirsiniz. BJLQX269
SI2302CDS-T1-GE3

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.